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BUP306D


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 21A
Ptot 165W
fT -
TJ -
el BUP306D es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1kV, Ic = 21A, d´application: propósito general, diodo integrado
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Información avanzada para BUP306D
OEM:Siemens AG
Paquete: TO-3P
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:-
Lista de tipos similares: ↑MGW12N120D
Búsqueda de tipo similar:-
buscar una parte:buscar

BUP306D


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 21A
Ptot 165W
fT -
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el BUP306D es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1kV, Ic = 21A, d´application: propósito general, diodo integrado
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IC 21A
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Nota:un tipo similar no siempre es un tipo de reemplazo, por favor revise los requisitos de la aplicación cuidados. antes se utiliza para reemplazo

MGW12N120D


SI N-IGBT transistor
similar to BUP306D, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 20A
Ptot 123W
TON/TOFF 157/307nS
TJ -
el MGW12N120D es un transistor de silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 20A, d´application: propósito general de potencia, diodo integrado
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: MGW12N120D
OEM:Motorola Sem... [más]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Paquete: TO-247
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:-
Lista de tipos similares: ↑BUP313D
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MGW12N120D


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UGE 20V
IC 20A
Ptot 123W
TON/TOFF 157/307nS
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UGE 20V
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Ptot 123W
TON/TOFF 157/307nS
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Tipo similar: MGW12N120D
OEM:Motorola Sem... [más]
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